介電常數(shù)測(cè)定儀實(shí)驗(yàn)原理

按照物質(zhì)電結(jié)構(gòu)的觀點(diǎn)，任何物質(zhì)都是由不同的電荷構(gòu)成，而在電介質(zhì)中存在原子、分子和離子等。當(dāng)固體電介質(zhì)置于電場(chǎng)中后會(huì)顯示出一定的極性，這個(gè)過(guò)程稱為極化。對(duì)不同的材料、溫度和頻率，各種極化過(guò)程的影響不同。

1、介電常數(shù)(e)：某一電介質(zhì)(如硅酸鹽、高分子材料)組成的電容器在一定電壓作用下所得到的電容量C_x與同樣大小的介質(zhì)為真空的電容器的電容量C_o之比值，被稱為該電介質(zhì)材料的相對(duì)介電常數(shù)。

式中：C_x —電容器兩極板充滿介質(zhì)時(shí)的電容；

Co —電容器兩極板為真空時(shí)的電容；

e —電容量增加的倍數(shù)，即相對(duì)介電常數(shù)

介電常數(shù)的大小表示該介質(zhì)中空間電荷互相作用減弱的程度。作為高頻絕緣材料，e要小，特別是用于高壓絕緣時(shí)。在制造高電容器時(shí)，則要求e要大，特別是小型電容器。

在絕緣技術(shù)中，特別是選擇絕緣材料或介質(zhì)貯能材料時(shí)，都需要考慮電介質(zhì)的介電常數(shù)。此外，由于介電常數(shù)取決于極化，而極化又取決于電介質(zhì)的分子結(jié)構(gòu)和分子運(yùn)動(dòng)的形式。所以，通過(guò)介電常數(shù)隨電場(chǎng)強(qiáng)度、頻率和溫度變化規(guī)律的研究，還可以推斷絕緣材料的分子結(jié)構(gòu)。

2．介電損耗(tgd)：指電介質(zhì)材料在外電場(chǎng)作用下發(fā)熱而損耗的那部分能量。在直流電場(chǎng)作用下，介質(zhì)沒(méi)有周期性損耗，基本上是穩(wěn)態(tài)電流造成的損耗；在交流電場(chǎng)作用下，介質(zhì)損耗除了穩(wěn)態(tài)電流損耗外，還有各種交流損耗。由于電場(chǎng)的頻繁轉(zhuǎn)向，電介質(zhì)中的損耗要比直流電場(chǎng)作用時(shí)大許多(有時(shí)達(dá)到幾千倍)，因此介質(zhì)損耗通常是指交流損耗。

在工程中，常將介電損耗用介質(zhì)損耗角正切tgd來(lái)表示。tgd是絕緣體的無(wú)效消耗的能量對(duì)有效輸入的比例，它表示材料在一周期內(nèi)熱功率損耗與貯存之比，是衡量材料損耗程度的物理量。

式中：ω —電源角頻率；

R —并聯(lián)等效交流電阻；

C —并聯(lián)等效交流電容器

凡是體積電阻率小的，其介電損耗就大。介質(zhì)損耗對(duì)于用在高壓裝置、高頻設(shè)備，特別是用在高壓、高頻等地方的材料和器件具有特別重要的意義，介質(zhì)損耗過(guò)大，不僅降低整機(jī)的性能，甚至?xí)斐山^緣材料的熱擊穿。

3、Q值：tgd的倒數(shù)稱為品質(zhì)因素，或稱Q值。Q值大，介電損失小，說(shuō)明品質(zhì)好。所以在選用電介質(zhì)前，必須首先測(cè)定它們的e和tgd。而這兩者的測(cè)定是分不開(kāi)的。

通常測(cè)量材料介電常數(shù)和介質(zhì)損耗角正切的方法有二種：交流電橋法和Q表測(cè)量法，其中Q表測(cè)量法在測(cè)量時(shí)由于操作與計(jì)算比較簡(jiǎn)便而廣泛采用。本實(shí)驗(yàn)主要采用的是Q表測(cè)量法。

4、陶瓷介質(zhì)損耗角正切及介電常數(shù)測(cè)試儀：它由穩(wěn)壓電源、高頻信號(hào)發(fā)生器、定位電壓表CBl、Q值電壓表CB2、寬頻低阻分壓器以及標(biāo)準(zhǔn)可調(diào)電容器等組成(圖2)。工作原理如下：高頻信導(dǎo)發(fā)生器的輸出信號(hào)，通過(guò)低阻抗耦合線圈將信號(hào)饋送至寬頻低阻抗分壓器。輸出信號(hào)幅度的調(diào)節(jié)是通過(guò)控制振蕩器的簾柵極電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)。當(dāng)調(diào)節(jié)定位電壓表CBl指在定位線上時(shí)，Ri兩端得到約l0mV的電壓(Vi)。當(dāng)Vi調(diào)節(jié)在一定數(shù)值(10mV)后，可以使測(cè)量Vc的電壓表CB2直接以Q值刻度，即可直接的讀出Q值，而不必計(jì)算。另外，電路中采用寬頻低阻分壓器的原因是：如果直接測(cè)量Vi必須增加大量電子組件才能測(cè)量出高頻低電壓信號(hào)，成本較高。若使用寬頻低阻分壓器后則可用普通電壓表達(dá)到同樣的目的。

圖1 Q表測(cè)量電路圖

經(jīng)推導(dǎo)(1) 介電常數(shù)：

(1)

式中：C1—標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下的電容量；

C2—樣品測(cè)試的電容量；

d—試樣的厚度(cm)；

Φ—試樣的直徑(cm)；

(2) 介質(zhì)損耗角正切：

(2)

式中：Q1—標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)下的Q值；

Q2—樣品測(cè)試的Q值；

(3) Q值：

(3)